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NP34N055HHE, NP34N055IHE, NP34N055SHE
Figure12. DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
Figure13. SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
45
40
35
30
Pulsed
1000 Pulsed
100
V GS = 10 V
25
20
V GS = 10 V
10
V GS = 0 V
15
10
5
I D = 17 A
1
0
? 50
0
50
100
150
0.1
0
0.5
1.0
1.5
T ch - Channel Temperature - ?C
Figure14. CAPACITANCE vs. DRAIN TO
V SD - Source to Drain Voltage - V
Figure15. SWITCHING CHARACTERISTICS
10000
SOURCE VOLTAGE
V GS = 0 V
1000
f = 1 MHz
t f
1000
C iss
100
t d(off)
t d(on)
100
C oss
C rss
10
t r
1
10
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V DS - Drain to Source Voltage - V
Figure16. REVERSE RECOVERY TIME vs.
I D - Drain Current - A
Figure17. DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
1000
DRAIN CURRENT
di/dt = 100 A/ μ s
V GS = 0 V
80
70
16
14
60
V DD = 44 V
12
100
50
40
28 V
11 V
V GS
10
8
30
6
10
20
10
V DS
I D = 34 A
4
2
1
0.1
1
10
100
0
0
4
8
12
16
20
24
28
32
0
I F - Drain Current - A
Data Sheet D14153EJ4V0DS
Q G - Gate Charge - nC
5
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